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SN7002W L6433 /Infineon Technologies/分立半导体产品
SN7002W L6433的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：SN7002W

标准包装：10,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：230mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 230mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 26µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：45pF @ 25V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：PG-SOT323-3

其它名称：SP000245413

供应商SN7002W L6433
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SN7002W L6433MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO339.69 Kbytes共8页SN7002W L6433的PDF下载地址无
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